RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
94
Rund um 56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
4.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
94
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
5.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
4.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1348
1334
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link