RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
94
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
94
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1348
1334
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link