RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
38
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
3106
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link