RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
38
Rund um -111% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
15.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
3063
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link