RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
72
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
1951
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link