RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.7
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
22.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
3861
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link