RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
38
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
2673
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link