RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
38
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
2994
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link