RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
38
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
2704
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link