RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
27
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
3117
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
OCZ OCZ2RPX8002G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teclast TLD416G26A30 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link