RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
2577
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link