RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
3845
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link