RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.6
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
3804
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link