RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
3322
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link