RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
2536
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link