RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.8
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
3650
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link