RAM-Vergleich Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Gesamtnote

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

19.1 15.7

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

54 57

Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.6 10.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 19200

Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2377 2511

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns