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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Compara
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
57
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
54
Velocidad de lectura, GB/s
19.1
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2377
2511
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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