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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
46
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
14.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
3448
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Letzte Vergleiche
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