RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
46
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
37
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
21.4
Скорость записи, Гб/сек
13.6
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3448
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link