RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
46
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2717
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link