RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
46
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2717
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link