RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
14.5
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
3672
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link