RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
46
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
2933
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link