RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
14.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
3568
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link