RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
17.8
Скорость записи, Гб/сек
13.6
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3568
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link