RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
49
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
49
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2534
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link