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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
3050
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
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