RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
46
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
11.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
2436
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link