RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
22
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
17.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
4035
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Mushkin 996902 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link