RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
28
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
13.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
3317
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link