RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
32
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
3023
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-100.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link