RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
77
Rund um -221% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
15.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
3562
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link