RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
77
Rund um -250% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
8.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
2623
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link