RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
77
Intorno -250% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
22
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
2623
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link