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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Gesamtnote
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Gesamtnote
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Unterschiede

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 16
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    46 left arrow 77
    Rund um -67% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.4 left arrow 1,884.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 6400
    Rund um 4 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    77 left arrow 46
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,936.9 left arrow 16.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,884.0 left arrow 12.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    564 left arrow 2660

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