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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
77
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
2660
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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