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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
77
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
46
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
2660
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
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