RAM-Vergleich SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Gesamtnote

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

56 77

Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.1 2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.5 1,884.0

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 6400

Rund um 3 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

564 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns