RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
77
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
1,884.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
56
Скорость чтения, Гб/сек
2,936.9
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,884.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
564
2455
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991586 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link