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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
77
Rund um -305% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
15.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
3397
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
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