RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
34
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.5
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2693
2319
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link