RAM-Vergleich SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Gesamtnote

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

38 101

Rund um -166% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.5 14.2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.0 7.0

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 19200

Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1313 2283

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns