SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

Gesamtnote
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Unterschiede

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    38 left arrow 101
    Rund um -166% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 14.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 7.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 19200
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    101 left arrow 38
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.2 left arrow 15.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.0 left arrow 12.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1313 left arrow 2283
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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