RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB против Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
101
Около -166% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
101
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1313
2283
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link