RAM-Vergleich SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Gesamtnote

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.7 10.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.6 8.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

35 37

Rund um -6% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2438 1998

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns