RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
1998
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link