RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
37
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.3
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
2227
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link