RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En -12% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
2227
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link