RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
48
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
48
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1858
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link