RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1858
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link