RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
51
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2488
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link